aseanアセアン10カ国情報　　国・地域毎の情報はクリックして下さい

東芝：車載機器の小型化と高放熱性に貢献する新パッケージの40V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について

スポンサーリンク


登録日時：2023年8月17日
このエントリーをはてなブックマークに追加

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、車載機器向けに、新パッケージS-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads)に当社U-MOSⅨ-Hプロセスのチップを搭載した40V耐圧NチャネルパワーMOSFET 「XPJR6604PB」と「XPJ1R004PB」を発売しました。本日から量産出荷を開始します。





自動運転システムなどの安全性が問われるアプリケーションでは、システムの冗長設計により、従来のシステムと比べてデバイスの搭載員数が増え、実装サイズも大きくなる方向です。そのため、車載機器を小型化するには、より高電流密度で実装可能なパワーMOSFETが必要です。

新製品は、新パッケージのS-TOGL™ (7.0mm×8.44mm[注1]) を採用しています。チップからアウターリードまでを一体化したポストレス構造に加えて、ソース端子を多ピン化することで、パッケージ抵抗を低減しました。

XPJR6604PBの場合、S-TOGL™パッケージと当社U-MOSⅨ-Hプロセスとの組み合わせにより、当社TO-220SM(W)パッケージの既存製品[注2]と比べて、オン抵抗を約11%低減し、実装面積を約55%低減して小型化しました。また、同既存製品と同等の熱抵抗特性を備え、高放熱性を実現しています。さらに、新パッケージは、類似サイズの当社DPAK+パッケージ (6.5mm×9.5mm[注１])と比べて、ドレイン電流定格が200Aと高く、大電流の通電が可能です。

新製品は、S-TOGL™パッケージにより、高密度、かつコンパクトなレイアウトが可能となり、車載機器の小型化と高放熱性に貢献します。

また、S-TOGL™パッケージは、実装応力を緩和するガルウィングリード形状により、振動や高温など過酷な環境下での使用を想定した車載電子部品の、基板実装はんだの接合信頼性向上に貢献します。

なお、ゲートしきい値電圧ごとのグルーピング納品[注3]にも対応しています。これにより、並列接続での使用が想定される大電流動作を必要とするアプリケーションに対して、特性差の少ない製品グループでシステム設計を進めることができます。

当社は今後もパワー半導体製品の製品ラインアップの拡充を進め、より使いやすく、高性能なパワーデバイスを提供することで、カーボンニュートラルの実現を目指します。

応用機器

  • 車載機器 (インバーター、半導体リレー、ロードスイッチ、モータードライブなど)

新製品の主な特長

  • 新パッケージS-TOGL™を採用 : 7.0mm×8.44mm (Typ.)
  • ドレイン電流定格が大きい :

XPJR6604PB: ID=200A
XPJ1R004PB: ID=160A

  • AEC-Q101適合
  • IATF 16949/PPAP提供可能[注4]
  • 低オン抵抗 :

XPJR6604PB: RDS(ON)=0.53mΩ (Typ.) (VGS=10V)
XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8mΩ (Typ.) (VGS=10V)

[注1] リード含むパッケージサイズ(Typ.)
[注2] 既存製品: TO-220SM(W)パッケージのTKR74F04PB
[注3] ゲートしきい値電圧を0.4V幅としたリールごとのグルーピング納品が可能です。ただし、特定グループの指定は受け付けていません。詳しくは、当社営業担当へお問い合わせください。
[注4] 詳しくは当社営業担当へお問い合わせください。

新製品の主な仕様

 

新製品

既存製品

品番

XPJR6604PB

XPJ1R004PB

TKR74F04PB

TK1R4S04PB

極性

Nチャネル

シリーズ

U-MOSIX-H

パッケージ

名称

S-TOGL™

TO-220SM(W)

DPAK+

サイズ (mm)

Typ.

7.0×8.44, t=2.3

10.0×13.0, t=3.5

6.5×9.5, t=2.3

絶対最大定格

ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)

40

ドレイン電流 (DC) ID (A)

200

160

250

120

ドレイン電流 (パルス) IDP (A)

600

480

750

240

チャネル温度 Tch (°C)

175

電気的特性

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(ON) (mΩ)

VGS=10V

Max

0.66

1.0

0.74

1.35

チャネル・ケース間過渡熱インピーダンス

Zth(ch-c) (°C/W)

Tc=25°C

Max

0.4

0.67

0.4

0.83

 

 

 

 

 

 

 

 

  

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

XPJR6604PB
XPJ1R004PB

当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。

車載MOSFET

* S-TOGL™は、東芝デバイス＆ストレージ株式会社の商標です。
* その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
* 本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。
予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。


Contacts

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

このリリースはビジネスワイヤからの提供を受けて掲載しています。
リリース内容については、それぞれの発表元企業にお問い合わせください。

スポンサーリンク